Fotonika temeljena na siliciju trenutno se smatra sljedećom generacijom fotoničke platforme za ugrađene komunikacije.Međutim, razvoj kompaktnih optičkih modulatora niske snage ostaje izazov.Ovdje izvješćujemo o golemom elektro-optičkom učinku u Ge/SiGe spregnutim kvantnim jamama.Ovaj obećavajući učinak temelji se na anomalnom kvantnom Starkovom učinku zbog odvojenog zatvaranja elektrona i rupa u spregnutim Ge/SiGe kvantnim jamama.Ovaj se fenomen može koristiti za značajno poboljšanje performansi svjetlosnih modulatora u usporedbi sa standardnim pristupima koji su dosad razvijeni u silicijskoj fotonici.Izmjerili smo promjene u indeksu loma do 2,3 × 10-3 pri prednaponu od 1,5 V s odgovarajućom modulacijskom učinkovitošću VπLπ od 0,046 Vcm.Ova demonstracija utire put razvoju učinkovitih faznih modulatora velike brzine temeljenih na materijalnim sustavima Ge/SiGe.
Vrijeme objave: 6. lipnja 2023